RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1632
2356
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link