RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2336
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link