RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
81
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
1651
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link