RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3075
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link