RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
3076
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link