RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1927
3075
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link