RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
1998
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link