RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3917
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link