RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3221
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link