RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2238
2831
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link