RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Porównaj
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,769.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,482.7
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,769.9
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2804
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 16JTF51264AZ-1G6M1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link