RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
2256
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link