RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
3211
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link