RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2294
3171
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link