RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2320
3845
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link