RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Porównaj
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2344
3510
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
JUHOR JHC1600U1108JY 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link