RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1537
2394
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link