RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2063
3171
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link