RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Porównaj
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
2725
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link