RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2095
3693
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link