RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
42
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2095
3410
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link