RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
41
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2039
2148
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link