RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
43
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2039
2532
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link