RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
66
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2123
1699
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link