RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
101
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
101
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2201
1382
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link