RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
40
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2233
3380
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link