RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
4128
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link