RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Porównaj
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3413
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link