RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3317
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link