RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1995
2288
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link