RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
56
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1435
2455
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link