RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Porównaj
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2030
3564
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link