RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2030
2336
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link