RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2032
2841
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link