RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2032
3013
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link