RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2102
2740
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link