RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2102
2430
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link