RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
41
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2078
1512
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link