RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1857
3529
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link