RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2009
4124
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link