RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2009
3147
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link