RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1807
2481
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link