RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1937
3693
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link