RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1937
1891
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link