RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
29
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
3621
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link