RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
3061
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link