RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
4128
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link