RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
66
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
1699
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link