RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1489
1843
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link