RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
81
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,027.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
37
Prędkość odczytu, GB/s
1,736.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,027.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
237
2591
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link